直讀模擬靜電場描繪儀庫號M408793直讀模擬靜電場描繪儀庫號M408793

主要技術(shù)指標(biāo)
1.儀器組成：模擬靜電場描繪儀主機、同軸電纜電極板、長平行導(dǎo)線電極板、平行板電容電極板、實驗裝置等；
2.直流供電電壓輸出：DC 0-18.00V連續(xù)可調(diào)，數(shù)字電壓顯示，精度：0.01V，具有短路保|護功能；
3.直流電壓測量：0-19.99V，精度：0.01V；
4.采用|高|分子電極板基材（克服玻璃易|破|缺|陷）；
5.電阻WEI|晶介質(zhì)（耐磨、方便、無需耗材）；
6.純|銅鍍金電極；
7.鍍金彈性探頭（減小接觸電阻）；
8.等勢線位置橫坐標(biāo)與縱坐標(biāo)數(shù)字直讀，精度：0.01mm；
9.單層結(jié)|構(gòu)（避免雙層結(jié)構(gòu)不同軸誤差）；
10.標(biāo)配電極板：同軸電纜、長平行導(dǎo)線、平行板電容，電極板可換；
11.教學(xué)實驗內(nèi)容：模擬法測繪靜電場。

1.數(shù)字位置直讀模擬靜電場描繪；
2.GAO|分子電極板；
3.電阻WEI|晶介質(zhì)；
4.純|銅鍍金電極；
5.鍍金彈性探頭；
6.單層結(jié)|構(gòu)

主要技術(shù)指標(biāo)
1.儀器組成：模擬靜電場描繪儀主機、同軸電纜電極板、長平行導(dǎo)線電極板、平行板電容電極板、實驗裝置等；
2.直流供電電壓輸出：DC 0-18.00V連續(xù)可調(diào)，數(shù)字電壓顯示，精度：0.01V，具有短路保|護功能；
3.直流電壓測量：0-19.99V，精度：0.01V；
4.采用|高|分子電極板基材（克服玻璃易|破|缺|陷）；
5.電阻WEI|晶介質(zhì)（耐磨、方便、無需耗材）；
6.純|銅鍍金電極；
7.鍍金彈性探頭（減小接觸電阻）；
8.等勢線位置橫坐標(biāo)與縱坐標(biāo)數(shù)字直讀，精度：0.01mm；
9.單層結(jié)|構(gòu)（避免雙層結(jié)構(gòu)不同軸誤差）；
10.標(biāo)配電極板：同軸電纜、長平行導(dǎo)線、平行板電容，電極板可換；
11.教學(xué)實驗內(nèi)容：模擬法測繪靜電場。

1.數(shù)字位置直讀模擬靜電場描繪；
2.GAO|分子電極板；
3.電阻WEI|晶介質(zhì)；
4.純|銅鍍金電極；
5.鍍金彈性探頭；
6.單層結(jié)|構(gòu)